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OLED原理與結構
SMOLED/Polymer OLED的發光原理類似發光二極體，同樣是利用材料的特性， 將電子傳輸層( Electron Transport Layer, ETL )、電洞傳輸層( Hole Transport Layer, HTL )和發光材料層( Emitting Material Layer, EML )結合，而將電子激發的形式降回基態，將多餘的能量以光波的形式釋出，因而達到不同波長的發光元件的產生。有機發光二極體的技術依其所使用的有機薄膜材料的不同，大致可分為二類，小分子有機發光二極體被稱為SMOLED，高分子發光二極體則被稱為Polymer OLED。
其OLED與LCD基本結構比較如下：


OLED與LCD結構比較



OLED 之優點
○省電
○超薄厚度 : Total 1.65mm (含偏光板)
○重量輕
○視角寬 : > 160 度 , 無視角限制
○反應時間快 : By μ second
○高對比 : 100:1
○高輝度效率
○高亮度 : .> 100 CD/m2 (不含偏光板)
○多色及彩色(RGB)元件皆可製作
○使用溫度範圍廣 : -30 ℃ ~ 80 ℃

LED發光原理:發光二極體(Light Emitting Diode, LED)是利用二極體內，電子與電洞結合過程中能量轉換產生光的輸出。LED特性:冷性發光不產生熱，元件壽命長(十萬小時以上)、反應速度很快、體積小、適合量產，具高可靠度。其製作材料通常為砷、磷、鎵等Ⅲ-Ⅴ族元素，過程包括上游的晶圓製作、磊晶成長（epitaxy），中游的擴散製程（diffusion）、金屬蒸鍍、晶粒製作，以及下游的產品封裝及應用市場等。(如表一)在上游的生產流程順序為：原料（Ga、As、P等）→單晶棒（GaAs、GaP等材料）→單晶片（wafer）→在單晶片上成長多層的磊晶→磊晶片，上游製程的成品包括單晶片及磊晶片；中游的晶粒製作則包括磊晶片擴散作業→製作金屬電極→金屬蒸鍍→光罩蝕刻→熱處理→晶粒切割，中游製程的成品是晶粒；下游的封裝產品若依封裝方式來分，則可分為燈泡型（Lamp）、SMD型、數字／字元顯示型、點矩陣型、集束型等。目前Lamp所佔的比重仍是最高，但是SMD LED因符合產品小型化趨勢成長率最高。

　　在相關技術方面，早期的磊晶生程技術雖然穩定，但在速度、產量及藍綠光方面卻有所不足，所以LPE、VPE較常使用在傳統LED上，至於新一代的MOCVD則已成為高亮度、藍綠光方面LED的主流技術。

全球及台灣LED市場概況:
　　LED可分為可見光(450~780nm)與不可見光，在可見光部分傳統亮度產品已是成熟型產品，產量雖大，不過由於價格低產值不大，年複合成長率也只有10%；至於高亮度LED是目前的主流產品，主要應用在大型看板、交通號誌、背光源、汽車第三煞車燈，較成熟的AlGaInP(紅、橙、黃光)應用廣泛，專利問題不大，故量產下價格已與傳統亮度接近，使應用的領域擴大。不過現階段最熱門的屬GaInN (藍、綠光)產品，在今年藍色被光源手機風潮下需求強勁，加上專利問題有所突破更使台灣國聯、晶電的產能應接不暇。至於GaInN+螢光粉(白光)主要應用於照明上，由於藍光的突破全球大廠紛紛投入白光照明的研發，加上近期全彩手機風行，使白光背光源炙手可熱，未來技術若有進展，將逐步取代一般照明市場擁有龐大的商機。

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